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贴片电容X7R·X7S·X5R
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贴片电容X7R·X7S·X5R

X7R为II类介质的中频电容器,其温度系数为±15%,电容量相对稳定,适用于各种旁路、耦合、滤波电路等,其容量精度主要为K档(±10%)。特殊情况下,可提供J档(±5%)精度的产品。X7R介电芯片的用途涵盖了工业应用的广泛领域。

X7S被称为温度稳定陶瓷 II类材料。 从–55°C+ 125°C,其电容s的温度变化在±22%范围内。 这种电容变化是非线性的。 X7S的电容会在电气工作条件(例如电压和频率)的影响下发生变化。 X7S介电芯片的用途涵盖了工业应用的广泛领域,在这些领域中,可接受因施加电压而导致的已知电容变化。X7S介电芯片的使用范围广泛于工业应用。


X5R II类陶瓷利用高介电常数材料系统,可在较小的外壳尺寸下实现高电容值。 从-55°C85°C,与此材料相关的电容的温度变化为±15%。X5R电介质是适用于更高电容应用的II类电介质。 这种电介质具有很高的体积效率。 小尺寸X5R电容器非常适合在移动设备,医疗设备和其他尺寸受限的应用中进行去耦和滤波应用。



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Description

X7R为II类介质的中频电容器,其温度系数为±15%,电容量相对稳定,适用于各种旁路、耦合、滤波电路等,其容量精度主要为K档(±10%)。特殊情况下,可提供J档(±5%)精度的产品。X7R介电芯片的用途涵盖了工业应用的广泛领域。

X7S被称为温度稳定陶瓷 II类材料。 从–55°C+ 125°C,其电容s的温度变化在±22%范围内。 这种电容变化是非线性的。 X7S的电容会在电气工作条件(例如电压和频率)的影响下发生变化。 X7S介电芯片的用途涵盖了工业应用的广泛领域,在这些领域中,可接受因施加电压而导致的已知电容变化。X7S介电芯片的使用范围广泛于工业应用。


X5R II类陶瓷利用高介电常数材料系统,可在较小的外壳尺寸下实现高电容值。 从-55°C85°C,与此材料相关的电容的温度变化为±15%。X5R电介质是适用于更高电容应用的II类电介质。 这种电介质具有很高的体积效率。 小尺寸X5R电容器非常适合在移动设备,医疗设备和其他尺寸受限的应用中进行去耦和滤波应用。




X7R  电压范围:4V500V    电容范围:100pF22µF       表壳尺寸:02012225

X7S  电压范围4V200V    电容范围:0.033µF22µF    表壳尺寸:04021210

X5R  电压范围:4V100V    电容范围:100pF100µF     表壳尺寸:04021812